RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
81
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
1668
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link