RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
40
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2631
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link