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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
3.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
3.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
8500
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1207
921
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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