RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3111
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link