RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
77
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
6.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
1549
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link