RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2353
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link