RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
69
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
1992
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link