RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3650
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link