RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
76
77
Rund um -1% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
1859
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link