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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
77
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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