RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
16.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3729
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link