RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2843
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link