RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3346
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link