RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
2712
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link