RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
2978
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link