RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
36
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
3372
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link