RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3299
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link