RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2417
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965516-048.A00LF 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link