RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2336
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Jinyu 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link