RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
18.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
4202
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link