RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
2497
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link