RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3651
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link