RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
72
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
1817
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link