RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
43
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2927
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link