RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
42
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
2476
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link