RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
37
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
3395
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link