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SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1457
1720
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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