RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2104
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link