RAM-Vergleich SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 43

Rund um 35% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.9 12.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.6 8.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1822 2506

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns