RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
41
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3022
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link