RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3131
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link