RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3463
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link