RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
3055
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link