RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
52
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
2306
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link