RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
44
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2022
3152
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link