RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
44
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3051
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link