RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
73
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1605
1724
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link