RAM-Vergleich SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Gesamtnote

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 42

Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.8 12.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.4 9.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 14900

Rund um 1.43 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2269 3579

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns