RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3546
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link