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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
66
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
15.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3652
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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