RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
71
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
1902
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link