RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
2960
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link