RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
60
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,381.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
2468
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link