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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
59
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
44
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
4,723.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
2,076.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
741
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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