RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
80
117
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,303.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
117
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,094.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,303.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
1775
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link