RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
70
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3564
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link