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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
21.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
70
Rund um -218% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
17.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
4142
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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