RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1453
2731
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link