RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1453
3675
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link