RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
9.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2979
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link